APTM120H140FT1G
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| Numero parte | APTM120H140FT1G |
| PNEDA Part # | APTM120H140FT1G |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.942 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 6 - dic 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM120H140FT1G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM120H140FT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTM120H140FT1G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.68Ohm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3812pF @ 25V |
| Potenza - Max | 208W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1241pF @ 15V Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.1A, 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 404.5pF @ 15V Potenza - Max 2.5W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V Potenza - Max 2.2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie AlphaMOS Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 20V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
