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APTM10HM09FTG

APTM10HM09FTG

Solo per riferimento

Numero parte APTM10HM09FTG
PNEDA Part # APTM10HM09FTG
Descrizione MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.948
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM10HM09FTG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM10HM09FTG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTM10HM09FTG, APTM10HM09FTG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 288,48 KB)
PDFAPTM10HM09FTG Datasheet Copertura
APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 2 APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 3 APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 4 APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 5 APTM10HM09FTG Datasheet Pagina 6

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APTM10HM09FTG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET4 N-Channel (H-Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C139A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs350nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds9875pF @ 25V
Potenza - Max390W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP4
Pacchetto dispositivo fornitoreSP4

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.4A, 1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 3.7µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

282pF @ 15V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSOP-6-6

APTMC60TLM14CAG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

4 N-Channel (Three Level Inverter)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

219A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 150A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 30mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

483nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 1000V

Potenza - Max

925W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

DMN2016UFX-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

24V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 10V

Potenza - Max

1.07W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

V-DFN2050-4

SI5920DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32mOhm @ 6.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 4V

Potenza - Max

3.12W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

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