SI5920DC-T1-GE3
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| Numero parte | SI5920DC-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI5920DC-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.302 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI5920DC-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SI5920DC-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI5920DC-T1-GE3, SI5920DC-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 7, Dimensioni: 107,93 KB)
  
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SI5920DC-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 8V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 4V |
| Potenza - Max | 3.12W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ |
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