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Numero parte	Descrizione	Disponibile
VQ1006P-2 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 14-DIP	Disponibile5.508
VQ1006P-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 14-DIP	Disponibile6.768
VQ2001P Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 4 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.760
VQ2001P-2 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 4 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 14-DIP Pacchetto dispositivo fornitore: 14-DIP	Disponibile5.634
VQ3001P-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 850mA, 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.940
VT6J1T2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V Potenza - Max: 120mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VMT6	Disponibile63.990
VT6K1T2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V Potenza - Max: 120mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VMT6	Disponibile3.330
VT6M1T2CR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V Potenza - Max: 120mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VMT6	Disponibile148.140
VWM200-01P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 210A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: V2-PAK Pacchetto dispositivo fornitore: V2-PAK	Disponibile2.664
VWM270-0075X2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 270A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: V2-PAK Pacchetto dispositivo fornitore: V2-PAK	Disponibile7.038
VWM350-0075P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 75V 340A V2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 340A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 250A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: V2-PAK Pacchetto dispositivo fornitore: V2-PAK	Disponibile5.076
XN0187200L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 5V Potenza - Max: 300mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74A, SOT-753 Pacchetto dispositivo fornitore: Mini5-G1	Disponibile7.704
XP0187800L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Pacchetto dispositivo fornitore: SMini5-G1	Disponibile6.588
XP0487800L Panasonic Electronic Components	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 0.1A S-MINI-6P Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 3V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SMINI6-G1	Disponibile6.534
ZDM4206NTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Potenza - Max: 2.75W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223	Disponibile3.870
ZDM4206NTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V Potenza - Max: 2.75W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223	Disponibile6.426
ZDM4306NTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Potenza - Max: 3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SM8	Disponibile6.534
ZDM4306NTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V Potenza - Max: 3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223	Disponibile4.158
ZVN4206NTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223	Disponibile6.894
ZVN4206NTC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-223-8 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-223	Disponibile3.490
ZXMC10A816N8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 497pF @ 50V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile24.648
ZXMC3A16DN8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A, 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile19.596
ZXMC3A16DN8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A, 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.140
ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile26.952
ZXMC3A17DN8TC Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.1A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 25V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.318
ZXMC3A18DN8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile7.506
ZXMC3AM832TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Potenza - Max: 1.7W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-MLP (3x3)	Disponibile12.936
ZXMC3AMCTA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 25V Potenza - Max: 1.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)	Disponibile1.780
ZXMC3F31DN8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A, 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Potenza - Max: 1.8W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile16.632
ZXMC4559DN8TA Diodes Incorporated	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile17.100

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