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ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMC3AMCTA
PNEDA Part # ZXMC3AMCTA
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario
1 ---------- $8,4215
100 ---------- $8,0267
250 ---------- $7,6320
500 ---------- $7,2372
750 ---------- $6,9083
1.000 ---------- $6,5793
Disponibile 1.780
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMC3AMCTA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMC3AMCTA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMC3AMCTA, ZXMC3AMCTA Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 731,16 KB)
PDFZXMC3AMCTA Datasheet Copertura
ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 2 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 3 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 4 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 5 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 6 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 7 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 8 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 9 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 10 ZXMC3AMCTA Datasheet Pagina 11

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ZXMC3AMCTA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V
Potenza - Max1.7W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (3x2)

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EPC

Produttore

EPC

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 40A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

NVMFD5485NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

44mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 25V

Potenza - Max

2.9W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

SQJ262EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V, 23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V, 1260pF @ 25V

Potenza - Max

27W (Tc), 48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® SO-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

EFC6612R-A-TF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CSP (1.77x3.54)

SQUN702E-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V, 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V

Potenza - Max

48W (Tc), 60W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

Die

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