EPC2100
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| Numero parte | EPC2100 |
| PNEDA Part # | EPC2100 |
| Descrizione | GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
| Produttore | EPC |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 59.664 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 30 - apr 4 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
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EPC2100 Risorse
| Brand | EPC |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | EPC2100 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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EPC2100 Specifiche
| Produttore | EPC |
| Serie | eGaN® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ |
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