Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 842/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
UT6MA2TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC, 6.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF, 305pF @ 15V Potenza - Max: 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: HUML2020L8	Disponibile7.848
UT6MA3TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A, 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: HUML2020L8	Disponibile55.044
VBH40-05B IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 500V 40A V2 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: V2-PAK Pacchetto dispositivo fornitore: V2-PAK	Disponibile3.222
VEC2315-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 8-VEC	Disponibile4.158
VEC2315-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 60V 2.5A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8	Disponibile4.014
VEC2415-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8	Disponibile21.949
VEC2415-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 3A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8	Disponibile7.362
VEC2415-TL-W-Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET NCH+NCH 4V DRIVE SERIES Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/ECH8	Disponibile3.024
VEC2616-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8	Disponibile6.048
VEC2616-TL-H-Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8	Disponibile6.624
VEC2616-TL-H-Z-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array PCH+NCH 4V DRIVE SERIES Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.844
VEC2616-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8	Disponibile43.326
VEC2616-TL-W-Z ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-28FL/VEC8	Disponibile2.484
VHM40-06P1 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2 Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2	Disponibile5.436
VKM40-06P1 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 38A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2 Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2	Disponibile8.748
VKM60-01P1 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 25V Potenza - Max: 300W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: ECO-PAC2 Pacchetto dispositivo fornitore: ECO-PAC2	Disponibile5.940
VMK165-007T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 70V 165A TO-240AA Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 70V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 165A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 25V Potenza - Max: 390W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: TO-240AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-240AA	Disponibile6.912
VMK90-02T2 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Potenza - Max: 380W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: TO-240AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-240AA	Disponibile2.232
VMM1000-01P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1000A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 800A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2355nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Y3-Li Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li	Disponibile6.552
VMM1500-0075P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 75V 1500A Y3-LI Produttore: IXYS Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1500A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 1200A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2480nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Y3-Li Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li	Disponibile6.300
VMM300-03F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 290A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 145A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1440nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V Potenza - Max: 1500W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Y3-DCB Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-DCB	Disponibile5.814
VMM45-02F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 45A TO-240AA Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 45A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V Potenza - Max: 190W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: TO-240AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-240AA	Disponibile5.940
VMM650-01F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 680A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 500A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1440nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Y3-Li Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li	Disponibile140
VMM85-02F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 84A Y4 Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 84A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 15000pF @ 25V Potenza - Max: 370W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Y4-M6 Pacchetto dispositivo fornitore: Y4-M6	Disponibile7.704
VMM90-09F IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI Produttore: IXYS Serie: HiPerFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 900V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 30mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 960nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Y3-Li Pacchetto dispositivo fornitore: Y3-Li	Disponibile7.668
VMM90-09P IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI Produttore: IXYS Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.266
VQ1001P Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 830mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 14-DIP	Disponibile24
VQ1001P-2 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 830mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 14-DIP	Disponibile5.994
VQ1001P-E3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 830mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 14-DIP	Disponibile3.580
VQ1006P Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 90V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 400mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: 14-DIP	Disponibile7.884

«
‹
1
...
839
840
841
842 (current)
843
844
845
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message