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VMK90-02T2

VMK90-02T2

Solo per riferimento

Numero parte VMK90-02T2
PNEDA Part # VMK90-02T2
Descrizione MOSFET 2N-CH 200V 83A TO-240AA
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.232
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VMK90-02T2 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVMK90-02T2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
VMK90-02T2, VMK90-02T2 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 91,92 KB)
PDFVMK90-02T2 Datasheet Copertura
VMK90-02T2 Datasheet Pagina 2 VMK90-02T2 Datasheet Pagina 3 VMK90-02T2 Datasheet Pagina 4

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VMK90-02T2 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C83A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs450nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15000pF @ 25V
Potenza - Max380W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaTO-240AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-240AA

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.9nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

85pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 20V

Potenza - Max

10W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

960pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

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9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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