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UT6MA2TCR

UT6MA2TCR

Solo per riferimento

Numero parte UT6MA2TCR
PNEDA Part # UT6MA2TCR
Descrizione UT6MA2 IS SMALL SURFACE MOUNT PA
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.848
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UT6MA2TCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUT6MA2TCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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UT6MA2TCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.3nC, 6.7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds180pF, 305pF @ 15V
Potenza - Max2W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerUDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreHUML2020L8

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.4A, 8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.7W, 3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

180A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

94nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

17-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

HUFA76504DK8T

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 25V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

SI6924AEDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

28V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 15V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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