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XN0187200L

XN0187200L

Solo per riferimento

Numero parte XN0187200L
PNEDA Part # XN0187200L
Descrizione MOSFET 2N-CH 50V 0.1A MINI-5
Produttore Panasonic Electronic Components
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.704
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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XN0187200L Risorse

Brand Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteXN0187200L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
XN0187200L, XN0187200L Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 236,05 KB)
PDFXN0187200L Datasheet Copertura
XN0187200L Datasheet Pagina 2 XN0187200L Datasheet Pagina 3

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XN0187200L Specifiche

ProduttorePanasonic Electronic Components
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)50V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs50Ohm @ 20mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds15pF @ 5V
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitoreMini5-G1

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V, 8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1240pF @ 10V

Potenza - Max

450mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.5x6.0)

CSD87333Q3D

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Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate, 5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

662pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSON (3.3x3.3)

ECH8659-TL-H

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 10V

Potenza - Max

1.5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

46A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 25V

Potenza - Max

357W

Temperatura di esercizio

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