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ZXMC3A18DN8TA

ZXMC3A18DN8TA

Solo per riferimento

Numero parte ZXMC3A18DN8TA
PNEDA Part # ZXMC3A18DN8TA
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.506
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

ZXMC3A18DN8TA Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteZXMC3A18DN8TA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
ZXMC3A18DN8TA, ZXMC3A18DN8TA Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 686,92 KB)
PDFZXMC3A18DN8TA Datasheet Copertura
ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 2 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 3 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 4 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 5 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 6 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 7 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 8 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 9 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 10 ZXMC3A18DN8TA Datasheet Pagina 11

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  • ZXMC3A18DN8TA Distributor

ZXMC3A18DN8TA Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.8A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1800pF @ 25V
Potenza - Max1.8W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

73mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

125pf @ 15V

Potenza - Max

2.4W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT8

UPA2379T1P-E1-A

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Funzione FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.8W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-XFLGA

Pacchetto dispositivo fornitore

6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)

FMP26-02P

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

Polar™

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

26A, 17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2720pF @ 25V

Potenza - Max

125W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

i4-Pac™-5

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS i4-PAC™

SI7909DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

FMM22-05PF

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

270mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2630pF @ 25V

Potenza - Max

132W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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