VWM200-01P
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| Numero parte | VWM200-01P |
| PNEDA Part # | VWM200-01P |
| Descrizione | MOSFET 6N-CH 100V 210A V2 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.664 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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VWM200-01P Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VWM200-01P |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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VWM200-01P Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 210A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | V2-PAK |
| Pacchetto dispositivo fornitore | V2-PAK |
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