ECH8654-TL-HX
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| Numero parte | ECH8654-TL-HX |
| PNEDA Part # | ECH8654-TL-HX |
| Descrizione | INTEGRATED CIRCUIT |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.876 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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ECH8654-TL-HX Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ECH8654-TL-HX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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ECH8654-TL-HX Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Funzione FET | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V Potenza - Max 900mW Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 15V Potenza - Max 1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchPLUS Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 65V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40.2nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3052pF @ 25V Potenza - Max 4.75W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 20-SO |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 186mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 38V Potenza - Max 15.4W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V Potenza - Max 2W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
