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NTGD3148NT1G

NTGD3148NT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTGD3148NT1G
PNEDA Part # NTGD3148NT1G
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 100.080
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Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
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NTGD3148NT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTGD3148NT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTGD3148NT1G, NTGD3148NT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 116,05 KB)
PDFNTGD3148NT1G Datasheet Copertura
NTGD3148NT1G Datasheet Pagina 2 NTGD3148NT1G Datasheet Pagina 3 NTGD3148NT1G Datasheet Pagina 4 NTGD3148NT1G Datasheet Pagina 5

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NTGD3148NT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 10V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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FDC6420C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

1206-8 ChipFET™

TPS1120D

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.17A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

840mW

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

FDW2506P

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1015pF @ 10V

Potenza - Max

600mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta), 8.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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