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FDMS7620S-F106

FDMS7620S-F106

Solo per riferimento

Numero parte FDMS7620S-F106
PNEDA Part # FDMS7620S-F106
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V POWER56
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.326
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 18 - feb 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

FDMS7620S-F106 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteFDMS7620S-F106
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
FDMS7620S-F106, FDMS7620S-F106 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 415,96 KB)
PDFFDMS7620S-F106 Datasheet Copertura
FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 2 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 3 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 4 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 5 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 6 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 7 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 8 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 9 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 10 FDMS7620S-F106 Datasheet Pagina 11

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FDMS7620S-F106 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10.1A, 12.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 10.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds608pF @ 15V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSub-Base Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerWDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePower56

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.7A, 2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

FDM2509NZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x5)

2N7002VAC-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Potenza - Max

150mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

AOE6932

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

55A (Tc), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V, 1.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V, 50nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V, 4180pF @ 15V

Potenza - Max

24W, 52W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6)

DMC2025UFDB-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel Complementary

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta), 3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

486pF @ 10V, 642pF @ 10V

Potenza - Max

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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