Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 795/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
NDS9952A ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile24.282
NDS9953A ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.960
NDS9955 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile2.829
NDS9956A ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.166
NDS9957 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 30V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.240
NDS9958 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 3A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 525pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile6.858
NDS9959 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.428
NSTJD1155LT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.798
NSTJD4001NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET P-CH SC88 Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.190
NTD5C668NLT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array T6 60V LL DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK (SINGLE GAUGE)	Disponibile6.372
NTD5C688NLT4G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array T6 60V LL DPAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: DPAK (SINGLE GAUGE)	Disponibile8.856
NTGD3133PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V Potenza - Max: 560mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile3.636
NTGD3148NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile100.080
NTGD3149CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.2A, 2.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 387pF @ 10V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile6.192
NTGD4161PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 281pF @ 15V Potenza - Max: 600mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile3.978
NTGD4167CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.6A, 1.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 295pF @ 15V Potenza - Max: 900mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile1.080.234
NTHC5513T1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile5.976
NTHC5513T1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 1206A Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile114.192
NTHD2102PT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile4.662
NTHD2102PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 2.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6.4V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile8.820
NTHD3100CT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile4.932
NTHD3100CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile101.868
NTHD3100CT3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile4.050
NTHD3100CT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile3.834
NTHD3102CT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A, 3.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile116.646
NTHD4102PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile730.854
NTHD4102PT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile2.880
NTHD4401PT1 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile6.390
NTHD4401PT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile3.726
NTHD4401PT3 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Potenza - Max: 1.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: ChipFET™	Disponibile2.502

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