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Pagina 792/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
LN100LA-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 1200V Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Cascoded) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3000Ohm @ 2mA, 2.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -25°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VFLGA Pacchetto dispositivo fornitore: 6-LFGA (3x3)	Disponibile3.204
LN60A01EP-LF Monolithic Power Systems Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP Produttore: Monolithic Power Systems Inc. Serie: - Tipo FET: 3 N-Channel, Common Gate Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -20°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PDIP	Disponibile4.140
LN60A01ES-LF Monolithic Power Systems Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC Produttore: Monolithic Power Systems Inc. Serie: - Tipo FET: 3 N-Channel, Common Gate Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -20°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.058
LN60A01ES-LF-Z Monolithic Power Systems Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC Produttore: Monolithic Power Systems Inc. Serie: - Tipo FET: 3 N-Channel, Common Gate Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -20°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.004
LP1030DK1-G Microchip Technology	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5 Produttore: Microchip Technology Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180Ohm @ 20mA, 7V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10.8pF @ 25V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -25°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74A, SOT-753 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-5	Disponibile4.284
MC7252KDW-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array N+P-CHANNELMOSFETEFFECTSOT-363 Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V, 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 340mA, 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, 8Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF, 30pF @ 10V, 5V Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-363	Disponibile284.778
MCB40P1200LB-TUB IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array POWER MOSFET Produttore: IXYS Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Silicon Carbide (SiC) Tensione Drain to Source (Vdss): 1200V (1.2kV) Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 58A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 9-SMD Power Module Pacchetto dispositivo fornitore: SMPD	Disponibile8.514
MCCD2004-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1955pF @ 10V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2030-6	Disponibile5.508
MCCD2005-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8A Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2030-6	Disponibile5.832
MCCD2007-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 7A Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 10V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2030-6	Disponibile3.096
MCH6601-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 0.2A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.43nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.5pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile6.912
MCH6602-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 0.35A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile6.318
MCH6603-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7.4pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile5.004
MCH6604-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 250mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.57nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6.6pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile8.190
MCH6605-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22Ohm @ 40mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.32nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6.2pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile2.862
MCH6605-TL-EX ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.048
MCH6606-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET PCH DUAL MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.444
MCH6606-TL-EX ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array INTEGRATED CIRCUIT Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.510
MCH6613-TL-E ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 350mA, 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile8.766
MCH6660-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile5.922
MCH6660-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile154.722
MCH6661-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6	Disponibile77.466
MCH6662-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile3.580
MCH6662-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 2A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 128pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6	Disponibile6.138
MCH6663-TL-H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 6-MCPH	Disponibile5.706
MCH6663-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 4V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.8A, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 88pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6	Disponibile8.280
MCH6664-TL-W ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 1.5A SOT363 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 800mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V Potenza - Max: 800mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88FL/MCPH6	Disponibile22
MCM2301-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array P-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 6V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6	Disponibile7.002
MCM3400A-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array N-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1155pF @ 15V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6L	Disponibile675.120
MCMNP517-TP Micro Commercial Co	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN2020-6U	Disponibile25.122

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