Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 791/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRFHM792TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Disponibile5.400
IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Disponibile7.596
IRFHM8363TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Potenza - Max: 2.7W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Disponibile8.154
IRFHS9351TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN Dual (2x2)	Disponibile3.618
IRFHS9351TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VQFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN (2x2)	Disponibile91.506
IRFI4019H-117P Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V Potenza - Max: 18W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-5 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-5 Full-Pak	Disponibile20.976
IRFI4019HG-117P Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 150V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 810pF @ 25V Potenza - Max: 18W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-5 Full Pack (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-5 Full-Pak	Disponibile2.484
IRFI4020H-117P Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V Potenza - Max: 21W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-5 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-5 Full-Pak	Disponibile8.112
IRFI4024H-117P Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 11A TO-220FP-5 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 50V Potenza - Max: 14W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-5 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-5 Full-Pak	Disponibile2.286
IRFI4212H-117P Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Potenza - Max: 18W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-5 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-5 Full-Pak	Disponibile8.496
IRL6297SDTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 15A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2245pF @ 10V Potenza - Max: 1.7W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric SA Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ SA	Disponibile4.788
IRL6372PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile16.979
IRL6372TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile32.406
IRLHS6276TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN Dual (2x2)	Disponibile4.086
IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VQFN Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN (2x2)	Disponibile85.410
IRLHS6376TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN (2x2)	Disponibile53
IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-VDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-PQFN (2x2)	Disponibile35.898
IXTL2X180N10T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK Produttore: IXYS Serie: Trench™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V Potenza - Max: 150W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: ISOPLUSi5-Pak™ Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUSi5-Pak™	Disponibile7.812
IXTL2X200N085T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 85V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 112A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V Potenza - Max: 150W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: ISOPLUSi5-Pak™ Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUSi5-Pak™	Disponibile2.448
IXTL2X220N075T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 75V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 120A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 25V Potenza - Max: 150W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: ISOPLUSi5-Pak™ Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUSi5-Pak™	Disponibile6.192
IXTL2X240N055T IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 55V 140A ISOPLUS I5 Produttore: IXYS Serie: TrenchMV™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 140A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V Potenza - Max: 150W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: ISOPLUSi5-Pak™ Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUSi5-Pak™	Disponibile3.276
JAN2N7334 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/597 Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: MO-036AB	Disponibile8.154
JAN2N7335 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/599 Tipo FET: 4 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.654
JANTX2N7334 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/597 Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: MO-036AB	Disponibile2.970
JANTX2N7335 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/599 Tipo FET: 4 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: MO-036AB	Disponibile8.316
JANTXV2N7334 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/597 Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: MO-036AB	Disponibile5.796
JANTXV2N7335 Microsemi	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/599 Tipo FET: 4 P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 750mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: 1.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore: MO-036AB	Disponibile8.460
KGF16N05D-400 Renesas Electronics America Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP Produttore: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 5.5V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 5V Potenza - Max: 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 20-UFLGA, CSP Pacchetto dispositivo fornitore: 20-WLCSP (2.48x1.17)	Disponibile4.212
KGF6N05D-400 Renesas Electronics America Inc.	Transistor - FET, MOSFET - Array IC MOSFET N-CH Produttore: Renesas Electronics America Inc. Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 5.5V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 0.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 3.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 5.5V Potenza - Max: 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 20-UFLGA, CSP Pacchetto dispositivo fornitore: 20-WLCSP (2.48x1.17)	Disponibile2.718
LKK47-06C5 IXYS	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264 Produttore: IXYS Serie: CoolMOS™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Super Junction Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: ISOPLUS264™ Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS264™	Disponibile8.676

«
‹
1
...
788
789
790
791 (current)
792
793
794
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistor

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message