IRL6372PBF
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| Numero parte | IRL6372PBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | IRL6372PBF | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO | ||||||||||||||||||
| Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 16.979 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IRL6372PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRL6372PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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IRL6372PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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