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NTHC5513T1

NTHC5513T1

Solo per riferimento

Numero parte NTHC5513T1
PNEDA Part # NTHC5513T1
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 5.976
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTHC5513T1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTHC5513T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTHC5513T1, NTHC5513T1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 147,25 KB)
PDFNTHC5513T1 Datasheet Copertura
NTHC5513T1 Datasheet Pagina 2 NTHC5513T1 Datasheet Pagina 3 NTHC5513T1 Datasheet Pagina 4 NTHC5513T1 Datasheet Pagina 5 NTHC5513T1 Datasheet Pagina 6 NTHC5513T1 Datasheet Pagina 7 NTHC5513T1 Datasheet Pagina 8 NTHC5513T1 Datasheet Pagina 9

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  • NTHC5513T1 Distributor

NTHC5513T1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreChipFET™

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.1nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Gull Wing

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP (5.0x6.0)

IRL6372PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

UT6JA2TCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-PowerUDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

HUML2020L8

IRF7757TRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1340pF @ 15V

Potenza - Max

1.2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

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