NDS9952A
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| Numero parte | NDS9952A |
| PNEDA Part # | NDS9952A |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 24.282 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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NDS9952A Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NDS9952A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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NDS9952A Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A, 2.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V Potenza - Max 960mW Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
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