Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
NTLUD3A260PZTBG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (1.6x1.6)	Disponibile6.498
NTLUD3A50PZTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile2.214
NTLUD3A50PZTBG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 15V Potenza - Max: 500mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile4.194
NTLUD4C26NTAG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: µCool™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Potenza - Max: 2.63W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile6.192
NTLUD4C26NTBG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN Produttore: ON Semiconductor Serie: µCool™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 15V Potenza - Max: 2.63W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-UDFN (2x2)	Disponibile4.842
NTMC1300R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.2A, 1.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.806
NTMD2C02R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.076
NTMD2C02R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.256
NTMD2C02R2SG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.2A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile8.226
NTMD2P01R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Potenza - Max: 710mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.618
NTMD2P01R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 16V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V Potenza - Max: 710mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.420
NTMD3P03R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.34A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.05A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 24V Potenza - Max: 730mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile2.178
NTMD4820NR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 15V Potenza - Max: 750mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile21.066
NTMD4840NR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V Potenza - Max: 680mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile19.584
NTMD4N03R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile359.082
NTMD5836NLR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A, 5.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2120pF @ 20V Potenza - Max: 1.5W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.418
NTMD5838NLR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 785pF @ 20V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.492
NTMD6601NR2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V Potenza - Max: 600mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile5.706
NTMD6N02R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.92A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V Potenza - Max: 730mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile6.156
NTMD6N02R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.92A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 16V Potenza - Max: 730mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile24.192
NTMD6N03R2 ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V Potenza - Max: 1.29W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.204
NTMD6N03R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V Potenza - Max: 1.29W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile3.726
NTMD6N04R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 32V Potenza - Max: 1.29W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile8.460
NTMD6P02R2G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V Potenza - Max: 750mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile51.396
NTMD6P02R2SG ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 16V Potenza - Max: 750mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOIC	Disponibile4.608
NTMFD4901NFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A, 17.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Potenza - Max: 1.1W, 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Disponibile3.456
NTMFD4901NFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A, 17.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Potenza - Max: 1.1W, 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Disponibile2.502
NTMFD4902NFT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A, 13.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Potenza - Max: 1.1W, 1.16W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Disponibile5.112
NTMFD4902NFT3G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8DFN Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.3A, 13.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1150pF @ 15V Potenza - Max: 1.1W, 1.16W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Disponibile7.218
NTMFD4C20NT1G ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V SO8FL Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A, 13.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 15V Potenza - Max: 1.09W, 1.15W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)	Disponibile44.869

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