Transistor

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
1014-6A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LV Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 1GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB ~ 7.5dB Potenza - Max: 19W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55LV Pacchetto dispositivo fornitore: 55LV	Disponibile4.590
1015MP Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10dB ~ 11dB Potenza - Max: 50W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55FW Pacchetto dispositivo fornitore: 55FW	Disponibile6.354
1035MP Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10dB ~ 10.5dB Potenza - Max: 125W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 2.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55FW-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55FW-1	Disponibile4.644
10502 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 55SM Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.5dB Potenza - Max: 1458W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Temperatura di esercizio: 230°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55SM Pacchetto dispositivo fornitore: 55SM	Disponibile7.686
1075MP Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.6dB ~ 8.5dB Potenza - Max: 250W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 6.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55FW-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55FW-1	Disponibile6.714
1090MP Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55FW-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.025GHz ~ 1.15GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.08dB ~ 8.5dB Potenza - Max: 250W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 6.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55FW-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55FW-1	Disponibile7.344
10A015 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 24V Frequenza - Transizione: 2.7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 9dB ~ 9.5dB Potenza - Max: 6W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 750mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Stud Mount Pacchetto / Custodia: 55FT Pacchetto dispositivo fornitore: 55FT	Disponibile4.842
10A030 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 24V 2.5GHZ 55FT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 24V Frequenza - Transizione: 2.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.8dB ~ 8.5dB Potenza - Max: 13W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Stud Mount Pacchetto / Custodia: 55FT Pacchetto dispositivo fornitore: 55FT	Disponibile6.426
10A060 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 24V 1GHZ 55FT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 24V Frequenza - Transizione: 1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB ~ 8.5dB Potenza - Max: 21W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Stud Mount Pacchetto / Custodia: 55FT Pacchetto dispositivo fornitore: 55FT	Disponibile3.222
1214-110M Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 75V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.4dB Potenza - Max: 270W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): 8A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55KT Pacchetto dispositivo fornitore: 55KT	Disponibile7.470
1214-150L Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.4GHZ 55ST-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.15dB ~ 8.7dB Potenza - Max: 320W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55ST-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55ST-1	Disponibile3.096
1214-220M Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 70V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.4dB Potenza - Max: 700W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55ST Pacchetto dispositivo fornitore: 55ST	Disponibile7.884
1214-30 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 88W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AW Pacchetto dispositivo fornitore: 55AW	Disponibile4.914
1214-300 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55KT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 88W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55KT Pacchetto dispositivo fornitore: 55KT	Disponibile5.616
1214-300M Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55ST Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 88W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 4A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55ST Pacchetto dispositivo fornitore: 55ST	Disponibile7.074
1214-32L Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.8dB ~ 8.9dB Potenza - Max: 125W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 5A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AW-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55AW-1	Disponibile8.028
1214-370M Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 75V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.7dB ~ 9dB Potenza - Max: 600W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 25A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55ST Pacchetto dispositivo fornitore: 55ST	Disponibile2.754
1214-55 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55AW Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 1.2GHz ~ 1.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 175W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 8A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AW Pacchetto dispositivo fornitore: 55AW	Disponibile4.068
1517-110M Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 70V Frequenza - Transizione: 1.48GHz ~ 1.65GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.3dB ~ 8.6dB Potenza - Max: 350W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 9A Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AW-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55AW-1	Disponibile6.498
1517-20M Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.65GHZ 55LV-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 65V Frequenza - Transizione: 1.48GHz ~ 1.65GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7.6dB ~ 9.3dB Potenza - Max: 175W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55LV-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55LV-1	Disponibile2.178
15GN01CA-TB-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3CP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 8V Frequenza - Transizione: 1.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CP	Disponibile5.544
15GN01MA-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 8V Frequenza - Transizione: 1.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCP	Disponibile3.420
15GN03CA-TB-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 1.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz Guadagno: 13dB @ 0.4GHz Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-CP	Disponibile24.696
15GN03FA-TL-H ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF TRANS NPN VHF-UHF 70A 10V SSFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-SSFP	Disponibile6.642
15GN03MA-TL-E ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3MCP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 1.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 1.6dB @ 0.4GHz Guadagno: 13dB @ 0.4GHz Potenza - Max: 400mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: 3-MCP	Disponibile22.272
2001 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 2GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 9.5dB Potenza - Max: 5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 250mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55BT Pacchetto dispositivo fornitore: 55BT	Disponibile8.082
2003 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Frequenza - Transizione: 2GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.5dB Potenza - Max: 12W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55BT-1 Pacchetto dispositivo fornitore: 55BT-1	Disponibile6.786
2223-1.7 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.952
2224-12LP Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.016
2224-6L Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 2.4GHZ 55LV Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 2.2GHz ~ 2.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 22W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.25A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55LV Pacchetto dispositivo fornitore: 55LV	Disponibile6.066

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