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1517-110M

1517-110M

Solo per riferimento

Numero parte 1517-110M
PNEDA Part # 1517-110M
Descrizione RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.498
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata set 24 - set 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1517-110M Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1517-110M
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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1517-110M Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)70V
Frequenza - Transizione1.48GHz ~ 1.65GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno7.3dB ~ 8.6dB
Potenza - Max350W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 1A, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)9A
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55AW-1
Pacchetto dispositivo fornitore55AW-1

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9.5V

Frequenza - Transizione

900MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

61044

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

JAN2N2857UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

21dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

SD8268-21H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Frequenza - Transizione

2.2GHz ~ 2.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB

Potenza - Max

10W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55LV

Pacchetto dispositivo fornitore

55LV

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