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1214-370M

1214-370M

Solo per riferimento

Numero parte 1214-370M
PNEDA Part # 1214-370M
Descrizione RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55ST
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.754
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

1214-370M Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte1214-370M
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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1214-370M Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)75V
Frequenza - Transizione1.2GHz ~ 1.4GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8.7dB ~ 9dB
Potenza - Max600W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce10 @ 5A, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)25A
Temperatura di esercizio200°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55ST
Pacchetto dispositivo fornitore55ST

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

33V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

80W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

316-01

Pacchetto dispositivo fornitore

316-01, STYLE 1

BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

10dB ~ 15dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BFU530XAR

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

NSVF4009SG4T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Guadagno

17dB

Potenza - Max

120mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-82FL/MCPH4

BFP840FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

2.6V

Frequenza - Transizione

85GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.75dB @ 5.5GHz

Guadagno

35dB

Potenza - Max

75mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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