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Record 64.903

Pagina 103/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
2224-6P Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.434
2225-4L Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 2.5GHZ 55LV Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 2.2GHz ~ 2.5GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.5dB Potenza - Max: 10W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55LV Pacchetto dispositivo fornitore: 55LV	Disponibile4.734
2301 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 45V Frequenza - Transizione: 2.3GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB Potenza - Max: 5.6W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55BT Pacchetto dispositivo fornitore: 55BT	Disponibile8.244
2304 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 45V Frequenza - Transizione: 2.3GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB Potenza - Max: 10.2W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 300mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 600mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55BT Pacchetto dispositivo fornitore: 55BT	Disponibile14.108
2307 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 42V 2.3GHZ 55BT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 42V Frequenza - Transizione: 2.3GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8dB Potenza - Max: 20.5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55BT Pacchetto dispositivo fornitore: 55BT	Disponibile6.012
2324-20 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 40V 2.4GHZ 55AW Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 2.3GHz ~ 2.4GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB Potenza - Max: 58W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 160mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3A Temperatura di esercizio: 200°C Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55AW Pacchetto dispositivo fornitore: 55AW	Disponibile4.644
23A005 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 4.3GHZ 55BT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 22V Frequenza - Transizione: 4.3GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.5dB ~ 9.5dB Potenza - Max: 3W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55BT Pacchetto dispositivo fornitore: 55BT	Disponibile4.374
23A008 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 22V Frequenza - Transizione: 3.7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.5dB ~ 9.5dB Potenza - Max: 5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55BT Pacchetto dispositivo fornitore: 55BT	Disponibile4.896
23A025 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 22V Frequenza - Transizione: 3.7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 6dB ~ 6.3dB Potenza - Max: 9W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 420mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 1.2A Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55BT Pacchetto dispositivo fornitore: 55BT	Disponibile2.700
2731-200P Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS 3.1GHZ MODULE Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: 2.7GHz ~ 3.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 8.7dB Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: Module	Disponibile3.598
2A5 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55ET Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 22V Frequenza - Transizione: 3.4GHz ~ 3.7GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB ~ 9dB Potenza - Max: 5.3W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 3mA Temperatura di esercizio: 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Stud Mount Pacchetto / Custodia: 55ET Pacchetto dispositivo fornitore: 55ET	Disponibile2.844
2A8 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 21V Frequenza - Transizione: 2GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 7dB ~ 9dB Potenza - Max: 5.3W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300mA Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 55EU Pacchetto dispositivo fornitore: 55EU	Disponibile5.076
2N2857 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 500MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile4.140
2N2857 MICROSS/On Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF DIE RF TRANS NPN 15V Produttore: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Tipo di transistor: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.266
2N2857 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.9GHZ TO72 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 1.9GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: - Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile23.202
2N2857UB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz Guadagno: 21dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile7.776
2N3663 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 2.1GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz Guadagno: 1.5dB Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile5.346
2N3866 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 500MHZ TO39 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 500MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39	Disponibile6.894
2N3866A Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ TO39 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: 400MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: - Potenza - Max: 1W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39	Disponibile8.046
2N4427 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 500MHZ TO39 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 40V Frequenza - Transizione: 500MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10dB @ 175MHz Potenza - Max: 1W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39	Disponibile5.760
2N4427 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 500MHZ TO39 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 500MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 10dB Potenza - Max: 1W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39	Disponibile22.332
2N4957 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Guadagno: 25dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-72-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile651
2N4957UB Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: PNP Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 30V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz Guadagno: 25dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: UB	Disponibile7.326
2N5031 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 10V Frequenza - Transizione: 400MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 12dB @ 400MHz Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile6.282
2N5109 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 1.2GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): - Guadagno: 12dB Potenza - Max: 2.5W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39	Disponibile3.960
2N5109 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Frequenza - Transizione: 1.2GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Guadagno: - Potenza - Max: 1W Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 400mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-39	Disponibile25.038
2N5179 Microsemi	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 200MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Guadagno: 20dB Potenza - Max: 300mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile7.254
2N5179 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 12V Frequenza - Transizione: 2GHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz Guadagno: 15dB Potenza - Max: 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-72	Disponibile8.232
2N5770 ON Semiconductor	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V TO92-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: - Figura di rumore (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Guadagno: 15dB Potenza - Max: 350mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 10V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.902
2N5770 Central Semiconductor Corp	Transistor - Bipolare (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 900MHZ TO92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo di transistor: NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 15V Frequenza - Transizione: 900MHz Figura di rumore (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Guadagno: - Potenza - Max: 625mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 8mA, 1V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Disponibile37.794

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