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10502

10502

Solo per riferimento

Numero parte 10502
PNEDA Part # 10502
Descrizione RF TRANS NPN 65V 55SM
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.686
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 7 - dic 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

10502 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte10502
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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10502 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)65V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)-
Guadagno8.5dB
Potenza - Max1458W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 5A, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Temperatura di esercizio230°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / Custodia55SM
Pacchetto dispositivo fornitore55SM

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

32mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.5mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

2SC5508-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.3V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Guadagno

19dB

Potenza - Max

115mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-343F

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

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