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MT48H4M32LFB5-6 IT:K
MT48H4M32LFB5-6 IT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.860
MT48H4M32LFB5-6:K
MT48H4M32LFB5-6:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile2.988
MT48H4M32LFB5-75 AT:K
MT48H4M32LFB5-75 AT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.788
MT48H4M32LFB5-75 IT:K
MT48H4M32LFB5-75 IT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.354
MT48H4M32LFB5-75:K
MT48H4M32LFB5-75:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.354
MT48H8M16LFB4-10
MT48H8M16LFB4-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.694
MT48H8M16LFB4-6 IT:K
MT48H8M16LFB4-6 IT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.694
MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR
MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.088
MT48H8M16LFB4-6:K
MT48H8M16LFB4-6:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.808
MT48H8M16LFB4-6:K TR
MT48H8M16LFB4-6:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.574
MT48H8M16LFB4-75 IT:K
MT48H8M16LFB4-75 IT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile4.104
MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR
MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.088
MT48H8M16LFB4-75:K
MT48H8M16LFB4-75:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile4.086
MT48H8M16LFB4-75:K TR
MT48H8M16LFB4-75:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile6.642
MT48H8M16LFB4-8 IT:J
MT48H8M16LFB4-8 IT:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile5.040
MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR
MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile3.690
MT48H8M16LFB4-8 IT TR
MT48H8M16LFB4-8 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.218
MT48H8M16LFB4-8:J
MT48H8M16LFB4-8:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.128
MT48H8M16LFB4-8:J TR
MT48H8M16LFB4-8:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.632
MT48H8M16LFB4-8 TR
MT48H8M16LFB4-8 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.398
MT48H8M16LFF4-10
MT48H8M16LFF4-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.052
MT48H8M16LFF4-10 IT
MT48H8M16LFF4-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.928
MT48H8M16LFF4-8
MT48H8M16LFF4-8

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.884
MT48H8M16LFF4-8 IT
MT48H8M16LFF4-8 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.856
MT48H8M32LFB5-10
MT48H8M32LFB5-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.924
MT48H8M32LFB5-10 IT
MT48H8M32LFB5-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.096
MT48H8M32LFB5-10 IT TR
MT48H8M32LFB5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.200
MT48H8M32LFB5-10 TR
MT48H8M32LFB5-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.948
MT48H8M32LFB5-6:H
MT48H8M32LFB5-6:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.046
MT48H8M32LFB5-6:H TR
MT48H8M32LFB5-6:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.874