Circuiti integrati di memoria

MT47H64M8SH-25E AIT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x18)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47H64M8SH-25E AIT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x18)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47H64M8SH-25E:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47H64M8SH-25E:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 512M 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 512M (64M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47H64M8SH-25E IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47H64M8SH-25E IT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 512M 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 512M (64M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R128M8CF-25:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R128M8CF-3:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 333MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 450ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R256M4CF-25E:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R256M4CF-3:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 333MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 450ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R256M8EB-25E:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (9x11.5)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R512M4EB-25E:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 2Gb (512M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (9x11.5)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R64M16HR-25E:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R64M16HR-25:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 400MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 400ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT47R64M16HR-3:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR2
• Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 333MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 450ps
• Tensione - Alimentazione: 1.55V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M16LFBF-6:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x9)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M16LFBF-6 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x9)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x9)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M16LFBF-75:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x9)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M16LFBF-75:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x9)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M16LFBF-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x9)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M16LFBF-75 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x9)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x9)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M32L2B5-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 100MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 7.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M32L2B5-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 100MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 7.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M32L2B5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 100MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 7.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M32L2B5-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 100MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 7.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M32L2B5-8

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 125MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 7.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M32L2B5-8 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 125MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 7.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello

MT48H16M32L2B5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (16M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 125MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 7.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Aggiungi al carrelloAggiorna al carrello