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Disponibile
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MT48H32M16LFB4-75B IT:C TR
MT48H32M16LFB4-75B IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.082
MT48H32M16LFB4-75 IT:C
MT48H32M16LFB4-75 IT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.874
MT48H32M16LFB4-75 IT:C TR
MT48H32M16LFB4-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.034
MT48H32M16LFBF-6:B
MT48H32M16LFBF-6:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (6x9)
Disponibile7.848
MT48H32M16LFBF-6:B TR
MT48H32M16LFBF-6:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (6x9)
Disponibile3.544
MT48H32M16LFBF-75:B TR
MT48H32M16LFBF-75:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (6x9)
Disponibile8.262
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR
MT48H32M16LFBF-75 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (6x9)
Disponibile3.204
MT48H32M16LFCJ-75:A TR
MT48H32M16LFCJ-75:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (10x11.5)
Disponibile4.770
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (10x11.5)
Disponibile6.660
MT48H4M16LFB4-10
MT48H4M16LFB4-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile6.804
MT48H4M16LFB4-10 IT
MT48H4M16LFB4-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile5.904
MT48H4M16LFB4-10 IT TR
MT48H4M16LFB4-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile5.454
MT48H4M16LFB4-10 TR
MT48H4M16LFB4-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile3.222
MT48H4M16LFB4-75:H
MT48H4M16LFB4-75:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile6.138
MT48H4M16LFB4-75:H TR
MT48H4M16LFB4-75:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile5.688
MT48H4M16LFB4-75 IT:H
MT48H4M16LFB4-75 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.632
MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR
MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile3.186
MT48H4M16LFB4-8
MT48H4M16LFB4-8

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.344
MT48H4M16LFB4-8:H
MT48H4M16LFB4-8:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile3.942
MT48H4M16LFB4-8:H TR
MT48H4M16LFB4-8:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile4.626
MT48H4M16LFB4-8 IT
MT48H4M16LFB4-8 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.592
MT48H4M16LFB4-8 IT:H
MT48H4M16LFB4-8 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.920
MT48H4M16LFB4-8 IT:H TR
MT48H4M16LFB4-8 IT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.182
MT48H4M16LFB4-8 IT TR
MT48H4M16LFB4-8 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.776
MT48H4M16LFB4-8 TR
MT48H4M16LFB4-8 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.556
MT48H4M16LFF4-10
MT48H4M16LFF4-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile5.382
MT48H4M16LFF4-10 IT
MT48H4M16LFF4-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.290
MT48H4M16LFF4-10 TR
MT48H4M16LFF4-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.016
MT48H4M16LFF4-8
MT48H4M16LFF4-8

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.412
MT48H4M16LFF4-8 IT
MT48H4M16LFF4-8 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.754