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Disponibile
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MT48H8M32LFB5-6 IT:H
MT48H8M32LFB5-6 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.860
MT48H8M32LFB5-75 AT:H
MT48H8M32LFB5-75 AT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.262
MT48H8M32LFB5-75:G TR
MT48H8M32LFB5-75:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.498
MT48H8M32LFB5-75:H
MT48H8M32LFB5-75:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.150
MT48H8M32LFB5-75:H TR
MT48H8M32LFB5-75:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.046
MT48H8M32LFB5-75 IT:G TR
MT48H8M32LFB5-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.014
MT48H8M32LFB5-75 IT:H
MT48H8M32LFB5-75 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.518
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.888
MT48H8M32LFB5-8 IT TR
MT48H8M32LFB5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.042
MT48H8M32LFB5-8 TR
MT48H8M32LFB5-8 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.438
MT48H8M32LFF5-10
MT48H8M32LFF5-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile2.304
MT48H8M32LFF5-10 IT
MT48H8M32LFF5-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.858
MT48H8M32LFF5-10 IT TR
MT48H8M32LFF5-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.794
MT48H8M32LFF5-10 TR
MT48H8M32LFF5-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.370
MT48H8M32LFF5-8
MT48H8M32LFF5-8

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.562
MT48H8M32LFF5-8 IT
MT48H8M32LFF5-8 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.136
MT48H8M32LFF5-8 IT TR
MT48H8M32LFF5-8 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.244
MT48H8M32LFF5-8 TR
MT48H8M32LFF5-8 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.938
MT48LC128M4A2P-75:C
MT48LC128M4A2P-75:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile7.812
MT48LC128M4A2P-75:C TR
MT48LC128M4A2P-75:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile7.254
MT48LC128M4A2TG-75:C TR
MT48LC128M4A2TG-75:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.598
MT48LC128M4A2TG-7E:C
MT48LC128M4A2TG-7E:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile8.460
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile4.662
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile18.516
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile3.526
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile20.598
MT48LC16M16A2B4-6A:G
MT48LC16M16A2B4-6A:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile19.647
MT48LC16M16A2B4-6A:G TR
MT48LC16M16A2B4-6A:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.506
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile14.795
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G TR
MT48LC16M16A2B4-6A IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.100