Circuiti integrati di memoria

MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2B4-7E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2B4-7E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2B4-7E IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2B4-7E IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2BG-75:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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MT48LC16M16A2BG-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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MT48LC16M16A2BG-75 IT:D

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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MT48LC16M16A2BG-7E IT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Alliance Memory, Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2F4-6A:GTR

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Alliance Memory, Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2F4-6A IT:GTR

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Alliance Memory, Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-LFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC16M16A2FG-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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MT48LC16M16A2FG-75 IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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MT48LC16M16A2FG-7E:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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MT48LC16M16A2FG-7E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x14)

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MT48LC16M16A2P-6A AAT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A AAT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A AIT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A AIT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM
• Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 167MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.4ns
• Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

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