Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT47H64M16HR-3 IT:H TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile2.250
MT47H64M16HR-3 L:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile3.888
MT47H64M16HR-3 L:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile2.682
MT47H64M16HR-3 L:H TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.572
MT47H64M16HW-3:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile8.118
MT47H64M16HW-3 IT:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile413
MT47H64M16NF-187E:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 350ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile2.736
MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile5.004
MT47H64M16NF-25E AAT:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile2.988
MT47H64M16NF-25E AIT:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.434
MT47H64M16NF-25E AIT:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile3.456
MT47H64M16NF-25E AUT:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.038
MT47H64M16NF-25E AUT:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile3.526
MT47H64M16NF-25E IT:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile8.010
MT47H64M16NF-25E IT:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.284
MT47H64M16NF-25E:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile17.745
MT47H64M16NF-25E:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile6.300
MT47H64M16NF-25E XIT:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile5.958
MT47H64M16NF-25E XIT:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile8.604
MT47H64M16U88BWC1 Micron Technology Inc.	Memoria DDR2 1G DIE 64MX16 Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.910
MT47H64M4BP-37E:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12)	Disponibile6.012
MT47H64M4BP-37E:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12)	Disponibile3.436
MT47H64M8B6-25:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA	Disponibile5.148
MT47H64M8B6-25E:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA	Disponibile5.148
MT47H64M8B6-25E IT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA	Disponibile5.976
MT47H64M8B6-25E L:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA	Disponibile3.400
MT47H64M8B6-37E:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA	Disponibile7.614
MT47H64M8B6-37E IT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 267MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 500ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA	Disponibile8.946
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA	Disponibile8.262
MT47H64M8B6-3 IT:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA	Disponibile8.604

MT47H64M16HR-3 IT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile2.250

MT47H64M16HR-3 L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile3.888

MT47H64M16HR-3 L:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile2.682

MT47H64M16HR-3 L:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.572

MT47H64M16HW-3:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile8.118

MT47H64M16HW-3 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile413

MT47H64M16NF-187E:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 350ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile2.736

MT47H64M16NF-25E AAT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile5.004

MT47H64M16NF-25E AAT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile2.988

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.434

MT47H64M16NF-25E AIT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile3.456

MT47H64M16NF-25E AUT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.038

MT47H64M16NF-25E AUT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile3.526

MT47H64M16NF-25E IT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile8.010

MT47H64M16NF-25E IT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.284

MT47H64M16NF-25E:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile17.745

MT47H64M16NF-25E:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile6.300

MT47H64M16NF-25E XIT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile5.958

MT47H64M16NF-25E XIT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile8.604

MT47H64M16U88BWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

DDR2 1G DIE 64MX16

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile8.910

MT47H64M4BP-37E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12)

Disponibile6.012

MT47H64M4BP-37E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12)

Disponibile3.436

MT47H64M8B6-25:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA

Disponibile5.148

MT47H64M8B6-25E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA

Disponibile5.148

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA

Disponibile5.976

MT47H64M8B6-25E L:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA

Disponibile3.400

MT47H64M8B6-37E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA

Disponibile7.614

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 267MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 500ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA

Disponibile8.946

MT47H64M8B6-3:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA

Disponibile8.262

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA

Disponibile8.604

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