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MT47H32M16CC-5E L:B TR
MT47H32M16CC-5E L:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)
Disponibile5.022
MT47H32M16HR-187E:G
MT47H32M16HR-187E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 350ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile8.028
MT47H32M16HR-187E:G TR
MT47H32M16HR-187E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 350ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile7.506
MT47H32M16HR-25E AAT:G
MT47H32M16HR-25E AAT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile4.392
MT47H32M16HR-25E AAT:G TR
MT47H32M16HR-25E AAT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile8.730
MT47H32M16HR-25E AIT:G
MT47H32M16HR-25E AIT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile4.086
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile8.856
MT47H32M16HR-25E:G
MT47H32M16HR-25E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile16.419
MT47H32M16HR-25E:G TR
MT47H32M16HR-25E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile3.906
MT47H32M16HR-25E IT:G
MT47H32M16HR-25E IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile1.886
MT47H32M16HR-25E IT:G TR
MT47H32M16HR-25E IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile6.552
MT47H32M16HR-25E L:G
MT47H32M16HR-25E L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile7.704
MT47H32M16HR-25E L:G TR
MT47H32M16HR-25E L:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile5.418
MT47H32M16HR-3:F
MT47H32M16HR-3:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile23.286
MT47H32M16HR-3:G
MT47H32M16HR-3:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile2.250
MT47H32M16HR-3:G TR
MT47H32M16HR-3:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile7.794
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile2.466
MT47H32M16HW-25E:G
MT47H32M16HW-25E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile5.796
MT47H32M16HW-25E IT:G
MT47H32M16HW-25E IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile3.834
MT47H32M16NF-187E:H
MT47H32M16NF-187E:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 350ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile4.536
MT47H32M16NF-187E:H TR
MT47H32M16NF-187E:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 350ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile5.976
MT47H32M16NF-25E AAT:H
MT47H32M16NF-25E AAT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile4.032
MT47H32M16NF-25E AAT:H TR
MT47H32M16NF-25E AAT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512M (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile8.136
MT47H32M16NF-25E AIT:H
MT47H32M16NF-25E AIT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile5.166
MT47H32M16NF-25E AIT:H TR
MT47H32M16NF-25E AIT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512M (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile4.878
MT47H32M16NF-25E AUT:H
MT47H32M16NF-25E AUT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile7.902
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile7.506
MT47H32M16NF-25E:H
MT47H32M16NF-25E:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile15.057
MT47H32M16NF-25E:H TR
MT47H32M16NF-25E:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512M (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile8.046
MT47H32M16NF-25E IT:H
MT47H32M16NF-25E IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)
Disponibile51.580