Circuiti integrati di memoria

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MT47H32M16CC-5E L:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 600ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)	Disponibile5.022
MT47H32M16HR-187E:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 350ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile8.028
MT47H32M16HR-187E:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 350ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.506
MT47H32M16HR-25E AAT:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.392
MT47H32M16HR-25E AAT:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile8.730
MT47H32M16HR-25E AIT:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.086
MT47H32M16HR-25E AIT:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile8.856
MT47H32M16HR-25E:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile16.419
MT47H32M16HR-25E:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile3.906
MT47H32M16HR-25E IT:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile1.886
MT47H32M16HR-25E IT:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile6.552
MT47H32M16HR-25E L:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.704
MT47H32M16HR-25E L:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile5.418
MT47H32M16HR-3:F Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile23.286
MT47H32M16HR-3:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile2.250
MT47H32M16HR-3:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 450ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.794
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile2.466
MT47H32M16HW-25E:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile5.796
MT47H32M16HW-25E IT:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile3.834
MT47H32M16NF-187E:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 350ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.536
MT47H32M16NF-187E:H TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 350ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile5.976
MT47H32M16NF-25E AAT:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.032
MT47H32M16NF-25E AAT:H TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512M (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile8.136
MT47H32M16NF-25E AIT:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile5.166
MT47H32M16NF-25E AIT:H TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512M (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile4.878
MT47H32M16NF-25E AUT:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.902
MT47H32M16NF-25E AUT:H TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.506
MT47H32M16NF-25E:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile15.057
MT47H32M16NF-25E:H TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512M (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile8.046
MT47H32M16NF-25E IT:H Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 400ps Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)	Disponibile51.580

MT47H32M16CC-5E L:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 600ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (12x12.5)

Disponibile5.022

MT47H32M16HR-187E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 350ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile8.028

MT47H32M16HR-187E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 350ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.506

MT47H32M16HR-25E AAT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.392

MT47H32M16HR-25E AAT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile8.730

MT47H32M16HR-25E AIT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.086

MT47H32M16HR-25E AIT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile8.856

MT47H32M16HR-25E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile16.419

MT47H32M16HR-25E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile3.906

MT47H32M16HR-25E IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile1.886

MT47H32M16HR-25E IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile6.552

MT47H32M16HR-25E L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.704

MT47H32M16HR-25E L:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile5.418

MT47H32M16HR-3:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile23.286

MT47H32M16HR-3:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile2.250

MT47H32M16HR-3:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 450ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.794

MT47H32M16HW-25E AAT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile2.466

MT47H32M16HW-25E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile5.796

MT47H32M16HW-25E IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile3.834

MT47H32M16NF-187E:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 350ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.536

MT47H32M16NF-187E:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 350ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile5.976

MT47H32M16NF-25E AAT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.032

MT47H32M16NF-25E AAT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512M (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile8.136

MT47H32M16NF-25E AIT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile5.166

MT47H32M16NF-25E AIT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512M (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile4.878

MT47H32M16NF-25E AUT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.902

MT47H32M16NF-25E AUT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.506

MT47H32M16NF-25E:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile15.057

MT47H32M16NF-25E:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 512M 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512M (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile8.046

MT47H32M16NF-25E IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 400ps
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 84-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x12.5)

Disponibile51.580

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