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Disponibile
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MT47H128M8HQ-3 IT:G
MT47H128M8HQ-3 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x11.5)
Disponibile2.412
MT47H128M8HQ-3 IT:G TR
MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x11.5)
Disponibile2.322
MT47H128M8HQ-3 L:G
MT47H128M8HQ-3 L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x11.5)
Disponibile5.652
MT47H128M8HQ-3 L:G TR
MT47H128M8HQ-3 L:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x11.5)
Disponibile5.292
MT47H128M8JN-25E:H
MT47H128M8JN-25E:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile2.106
MT47H128M8JN-3:H
MT47H128M8JN-3:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile8.946
MT47H128M8JN-3 IT:H
MT47H128M8JN-3 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile4.626
MT47H128M8SH-187E:M
MT47H128M8SH-187E:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 350ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile5.832
MT47H128M8SH-187E:M TR
MT47H128M8SH-187E:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 533MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 350ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x18)
Disponibile5.148
MT47H128M8SH-25E AAT:M
MT47H128M8SH-25E AAT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x18)
Disponibile7.380
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x18)
Disponibile7.614
MT47H128M8SH-25E AIT:M
MT47H128M8SH-25E AIT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile2.862
MT47H128M8SH-25E AIT:M TR
MT47H128M8SH-25E AIT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile7.218
MT47H128M8SH-25E IT:M
MT47H128M8SH-25E IT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile73.344
MT47H128M8SH-25E IT:M TR
MT47H128M8SH-25E IT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile3.330
MT47H128M8SH-25E:M
MT47H128M8SH-25E:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile26.429
MT47H128M8SH-25E:M TR
MT47H128M8SH-25E:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x10)
Disponibile2.844
MT47H16M16BG-37E:B TR
MT47H16M16BG-37E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x14)
Disponibile4.428
MT47H16M16BG-37V:B
MT47H16M16BG-37V:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 500ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x14)
Disponibile8.316
MT47H16M16BG-3:B TR
MT47H16M16BG-3:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x14)
Disponibile3.816
MT47H16M16BG-3E:B
MT47H16M16BG-3E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x14)
Disponibile8.226
MT47H16M16BG-3 IT:B TR
MT47H16M16BG-3 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 333MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 450ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x14)
Disponibile4.752
MT47H16M16BG-5E:B
MT47H16M16BG-5E:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x14)
Disponibile7.113
MT47H16M16BG-5E:B TR
MT47H16M16BG-5E:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 84-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 84-FBGA (8x14)
Disponibile2.088
MT47H1G4WTR-25E:C
MT47H1G4WTR-25E:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 4Gb (1G x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (9x11.5)
Disponibile3.618
MT47H1G4WTR-25E:C TR
MT47H1G4WTR-25E:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 4Gb (1G x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 400MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 63-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 63-FBGA (9x11.5)
Disponibile6.138
MT47H256M4B7-37E:A
MT47H256M4B7-37E:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)
Disponibile2.628
MT47H256M4B7-37E:A TR
MT47H256M4B7-37E:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 267MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 400ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)
Disponibile3.490
MT47H256M4B7-5E:A
MT47H256M4B7-5E:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)
Disponibile7.560
MT47H256M4B7-5E:A TR
MT47H256M4B7-5E:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR2
  • Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 600ps
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 92-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 92-FBGA (11x19)
Disponibile7.704