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Circuiti integrati di memoria

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MT46V128M4BN-6:D
MT46V128M4BN-6:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile5.670
MT46V128M4BN-6:D TR
MT46V128M4BN-6:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile2.736
MT46V128M4BN-6:F
MT46V128M4BN-6:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile5.256
MT46V128M4BN-6:F TR
MT46V128M4BN-6:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile6.318
MT46V128M4BN-75:D
MT46V128M4BN-75:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile7.704
MT46V128M4BN-75:D TR
MT46V128M4BN-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile4.932
MT46V128M4CY-5B:J
MT46V128M4CY-5B:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile6.822
MT46V128M4CY-5B:J TR
MT46V128M4CY-5B:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile3.384
MT46V128M4FN-5B:D TR
MT46V128M4FN-5B:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile2.772
MT46V128M4FN-5B:F TR
MT46V128M4FN-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile4.356
MT46V128M4FN-6:D TR
MT46V128M4FN-6:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile3.582
MT46V128M4FN-6:F TR
MT46V128M4FN-6:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile7.020
MT46V128M4FN-75:D
MT46V128M4FN-75:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile8.316
MT46V128M4FN-75:D TR
MT46V128M4FN-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile3.888
MT46V128M4FN-75Z:D
MT46V128M4FN-75Z:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile3.942
MT46V128M4FN-75Z:D TR
MT46V128M4FN-75Z:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile3.906
MT46V128M4P-5B:D TR
MT46V128M4P-5B:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile4.536
MT46V128M4P-5B:F
MT46V128M4P-5B:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile4.446
MT46V128M4P-5B:F TR
MT46V128M4P-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile4.374
MT46V128M4P-5B:J
MT46V128M4P-5B:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile7.074
MT46V128M4P-5B:J TR
MT46V128M4P-5B:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile5.616
MT46V128M4P-6T:D
MT46V128M4P-6T:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile7.254
MT46V128M4P-6T:D TR
MT46V128M4P-6T:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile6.300
MT46V128M4P-6T:F
MT46V128M4P-6T:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile8.766
MT46V128M4P-6T:F TR
MT46V128M4P-6T:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile6.048
MT46V128M4P-75:D
MT46V128M4P-75:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile8.622
MT46V128M4P-75:D TR
MT46V128M4P-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile5.670
MT46V128M4TG-5B:D TR
MT46V128M4TG-5B:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile4.464
MT46V128M4TG-5B:F
MT46V128M4TG-5B:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile8.964
MT46V128M4TG-5B:F TR
MT46V128M4TG-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile7.092