Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT46V16M16CY-6 IT:K TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile5.598
MT46V16M16CY-6:K TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)	Disponibile7.344
MT46V16M16FG-5B:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)	Disponibile8.190
MT46V16M16FG-6:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)	Disponibile7.596
MT46V16M16FG-6 L:F Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)	Disponibile6.714
MT46V16M16FG-6 L:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)	Disponibile8.568
MT46V16M16FG-75:F Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)	Disponibile2.538
MT46V16M16FG-75:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-FBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)	Disponibile3.726
MT46V16M16P-5B AIT:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile3.834
MT46V16M16P-5B AIT:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile21.852
MT46V16M16P-5B:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile7.974
MT46V16M16P-5B IT:K TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile5.742
MT46V16M16P-5B IT:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile5.616
MT46V16M16P-5B IT:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile8.280
MT46V16M16P-5B:K TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile3.456
MT46V16M16P-5B:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile377
MT46V16M16P-5B:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile3.150
MT46V16M16P-5B XIT:M Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile3.546
MT46V16M16P-5B XIT:M TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile3.528
MT46V16M16P-6T:F Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile4.527
MT46V16M16P-6T:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile8.226
MT46V16M16P-6T IT:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile6.084
MT46V16M16P-6T IT:K TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile5.976
MT46V16M16P-6T:K TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile3.825
MT46V16M16P-6T L:F Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile5.580
MT46V16M16P-6T L:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile5.112
MT46V16M16P-75:F Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile34.041
MT46V16M16P-75:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 750ps Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile6.894
MT46V16M16TG-5B:F TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP	Disponibile7.722
MT46V16M16TG-5B IT:M Alliance Memory, Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP Produttore: Alliance Memory, Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 700ps Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II	Disponibile8.928

MT46V16M16CY-6 IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile5.598

MT46V16M16CY-6:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)

Disponibile7.344

MT46V16M16FG-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)

Disponibile8.190

MT46V16M16FG-6:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)

Disponibile7.596

MT46V16M16FG-6 L:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)

Disponibile6.714

MT46V16M16FG-6 L:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)

Disponibile8.568

MT46V16M16FG-75:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)

Disponibile2.538

MT46V16M16FG-75:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)

Disponibile3.726

MT46V16M16P-5B AIT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile3.834

MT46V16M16P-5B AIT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile21.852

MT46V16M16P-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile7.974

MT46V16M16P-5B IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile5.742

MT46V16M16P-5B IT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile5.616

MT46V16M16P-5B IT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile8.280

MT46V16M16P-5B:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile3.456

MT46V16M16P-5B:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile377

MT46V16M16P-5B:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile3.150

MT46V16M16P-5B XIT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile3.546

MT46V16M16P-5B XIT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile3.528

MT46V16M16P-6T:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile4.527

MT46V16M16P-6T:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile8.226

MT46V16M16P-6T IT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile6.084

MT46V16M16P-6T IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile5.976

MT46V16M16P-6T:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile3.825

MT46V16M16P-6T L:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile5.580

MT46V16M16P-6T L:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile5.112

MT46V16M16P-75:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile34.041

MT46V16M16P-75:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 750ps
Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile6.894

MT46V16M16TG-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP

Disponibile7.722

MT46V16M16TG-5B IT:M

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP

Produttore: Alliance Memory, Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR
Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 700ps
Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP II

Disponibile8.928

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