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Circuiti integrati di memoria

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Disponibile
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MT46V128M4TG-6T:D TR
MT46V128M4TG-6T:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile2.862
MT46V128M4TG-6T:F TR
MT46V128M4TG-6T:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile6.300
MT46V128M4TG-75:D
MT46V128M4TG-75:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile8.694
MT46V128M4TG-75:D TR
MT46V128M4TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile6.318
MT46V128M4TG-75E:D
MT46V128M4TG-75E:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile4.122
MT46V128M4TG-75E:D TR
MT46V128M4TG-75E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile3.960
MT46V128M8P-6T:A
MT46V128M8P-6T:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile522
MT46V128M8P-6T:A TR
MT46V128M8P-6T:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile7.830
MT46V128M8P-6T IT:A
MT46V128M8P-6T IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile4.752
MT46V128M8P-75:A
MT46V128M8P-75:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile4.338
MT46V128M8P-75:A TR
MT46V128M8P-75:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile2.700
MT46V128M8TG-6T:A
MT46V128M8TG-6T:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile3.456
MT46V128M8TG-6T:A TR
MT46V128M8TG-6T:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile2.466
MT46V128M8TG-75:A
MT46V128M8TG-75:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile3.132
MT46V128M8TG-75:A TR
MT46V128M8TG-75:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 750ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 66-TSOP
Disponibile8.532
MT46V16M16BG-5B:F TR
MT46V16M16BG-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)
Disponibile4.410
MT46V16M16BG-6:F
MT46V16M16BG-6:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)
Disponibile6.444
MT46V16M16BG-6:F TR
MT46V16M16BG-6:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)
Disponibile3.654
MT46V16M16BG-6 IT:F TR
MT46V16M16BG-6 IT:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-FBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x14)
Disponibile6.372
MT46V16M16CY-5B AAT:M
MT46V16M16CY-5B AAT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile4.356
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile12.264
MT46V16M16CY-5B AIT:M
MT46V16M16CY-5B AIT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile2.358
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile8.298
MT46V16M16CY-5B IT:M
MT46V16M16CY-5B IT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile1.215
MT46V16M16CY-5B IT:M TR
MT46V16M16CY-5B IT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile26.850
MT46V16M16CY-5B:K TR
MT46V16M16CY-5B:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile7.758
MT46V16M16CY-5B:M
MT46V16M16CY-5B:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile4.005
MT46V16M16CY-5B:M TR
MT46V16M16CY-5B:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile14.976
MT46V16M16CY-5B XIT:M
MT46V16M16CY-5B XIT:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile7.470
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (8x12.5)
Disponibile6.480