Circuiti integrati di memoria

MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)

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MT46H64M32LFMA-6 WT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)

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MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)

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MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

Micron Technology Inc.

Memoria

MOBILE DDR 2G DIE 64MX32

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MT46H8M16LFBF-5 IT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

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MT46H8M16LFBF-5:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

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MT46H8M16LFBF-5:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

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MT46H8M16LFBF-6 AT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

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MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

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MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

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MT46H8M16LFBF-6:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

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MT46H8M16LFCF-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 104MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 7.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)

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MT46H8M16LFCF-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 104MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 7.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)

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MT46H8M16LFCF-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 104MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 7.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)

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MT46H8M16LFCF-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 104MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 7.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)

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MT46H8M16LFCF-75

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 6.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)

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MT46H8M16LFCF-75 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 6.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)

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MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 104MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 7.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-5:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-5:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-5 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-6:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-6:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-6 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 166MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
• Tempo di accesso: 5.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-75:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 6.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
• Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 133MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 6.0ns
• Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

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MT46V128M4BN-5B:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 700ps
• Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

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MT46V128M4BN-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR
• Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 200MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 700ps
• Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)

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