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Circuiti integrati di memoria

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Numero parte
Descrizione
Disponibile
Quantità
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)
Disponibile6.588
MT46H64M32LFMA-6 WT:B
MT46H64M32LFMA-6 WT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)
Disponibile6.444
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)
Disponibile2.250
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004
MT46H64M32LFT89MWC2-N1004

Micron Technology Inc.

Memoria

MOBILE DDR 2G DIE 64MX32

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: *
  • Tipo di memoria: -
  • Formato memoria: -
  • Tecnologia: -
  • Dimensione della memoria: -
  • Interfaccia di memoria: -
  • Frequenza di clock: -
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
  • Tempo di accesso: -
  • Tensione - Alimentazione: -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto / Custodia: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
Disponibile6.660
MT46H8M16LFBF-5 IT:K
MT46H8M16LFBF-5 IT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)
Disponibile4.734
MT46H8M16LFBF-5:K
MT46H8M16LFBF-5:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)
Disponibile7.974
MT46H8M16LFBF-5:K TR
MT46H8M16LFBF-5:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)
Disponibile8.892
MT46H8M16LFBF-6 AT:K
MT46H8M16LFBF-6 AT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)
Disponibile6.372
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)
Disponibile5.796
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)
Disponibile4.860
MT46H8M16LFBF-6:K
MT46H8M16LFBF-6:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)
Disponibile6.588
MT46H8M16LFCF-10
MT46H8M16LFCF-10

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)
Disponibile4.356
MT46H8M16LFCF-10 IT
MT46H8M16LFCF-10 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)
Disponibile8.046
MT46H8M16LFCF-10 IT TR
MT46H8M16LFCF-10 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)
Disponibile3.562
MT46H8M16LFCF-10 TR
MT46H8M16LFCF-10 TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)
Disponibile8.262
MT46H8M16LFCF-75
MT46H8M16LFCF-75

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)
Disponibile8.154
MT46H8M16LFCF-75 IT
MT46H8M16LFCF-75 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.9V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x10)
Disponibile8.766
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 104MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.640
MT46H8M32LFB5-5:H
MT46H8M32LFB5-5:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.796
MT46H8M32LFB5-5:H TR
MT46H8M32LFB5-5:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.158
MT46H8M32LFB5-5 IT:H
MT46H8M32LFB5-5 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.398
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.832
MT46H8M32LFB5-6:A TR
MT46H8M32LFB5-6:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.910
MT46H8M32LFB5-6:H
MT46H8M32LFB5-6:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile759
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.734
MT46H8M32LFB5-6 IT:H
MT46H8M32LFB5-6 IT:H

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 166MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile616
MT46H8M32LFB5-75:A TR
MT46H8M32LFB5-75:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.472
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dimensione della memoria: 256Mb (8M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 6.0ns
  • Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.622
MT46V128M4BN-5B:F
MT46V128M4BN-5B:F

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile6.426
MT46V128M4BN-5B:F TR
MT46V128M4BN-5B:F TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - DDR
  • Dimensione della memoria: 512Mb (128M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 200MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 700ps
  • Tensione - Alimentazione: 2.5V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-FBGA (10x12.5)
Disponibile8.928