Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile3.420
MT46H64M16LFBF-6 IT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile5.634
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile8.982
MT46H64M16LFCK-5:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)	Disponibile6.408
MT46H64M16LFCK-5 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)	Disponibile8.010
MT46H64M16LFCK-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)	Disponibile8.514
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)	Disponibile6.444
MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)	Disponibile7.848
MT46H64M16LFCK-6:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)	Disponibile8.262
MT46H64M16LFCK-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)	Disponibile5.796
MT46H64M16LFT68MWC2 Micron Technology Inc.	Memoria MOBILE DDR 1G DIE 64MX16 Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.762
MT46H64M32L2CG-5 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 152-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 152-VFBGA (14x14)	Disponibile8.784
MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 152-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 152-VFBGA (14x14)	Disponibile3.870
MT46H64M32L2CG-6 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 152-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 152-VFBGA (14x14)	Disponibile8.316
MT46H64M32L2CG-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 152-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 152-VFBGA (14x14)	Disponibile3.960
MT46H64M32L2JG-5:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile8.064
MT46H64M32L2JG-5:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile2.664
MT46H64M32L2JG-5 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile4.554
MT46H64M32L2JG-5 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile3.204
MT46H64M32L2JG-6:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile7.164
MT46H64M32L2JG-6:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile8.622
MT46H64M32L2JG-6 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile7.110
MT46H64M32L2JG-6 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile2.826
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile5.454
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile12.738
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile2.988
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile2.538
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile7.326
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile3.744
MT46H64M32LFCM-5 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (10x13)	Disponibile8.082

MT46H64M16LFBF-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile3.420

MT46H64M16LFBF-6 IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile5.634

MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile8.982

MT46H64M16LFCK-5:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)

Disponibile6.408

MT46H64M16LFCK-5 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)

Disponibile8.010

MT46H64M16LFCK-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)

Disponibile8.514

MT46H64M16LFCK-5 L IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)

Disponibile6.444

MT46H64M16LFCK-5 L IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)

Disponibile7.848

MT46H64M16LFCK-6:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)

Disponibile8.262

MT46H64M16LFCK-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (10x11.5)

Disponibile5.796

MT46H64M16LFT68MWC2

Micron Technology Inc.

Memoria

MOBILE DDR 1G DIE 64MX16

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.762

MT46H64M32L2CG-5 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 152-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-VFBGA (14x14)

Disponibile8.784

MT46H64M32L2CG-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 152-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-VFBGA (14x14)

Disponibile3.870

MT46H64M32L2CG-6 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 152-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-VFBGA (14x14)

Disponibile8.316

MT46H64M32L2CG-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 152VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 152-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 152-VFBGA (14x14)

Disponibile3.960

MT46H64M32L2JG-5:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile8.064

MT46H64M32L2JG-5:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile2.664

MT46H64M32L2JG-5 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile4.554

MT46H64M32L2JG-5 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile3.204

MT46H64M32L2JG-6:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile7.164

MT46H64M32L2JG-6:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile8.622

MT46H64M32L2JG-6 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile7.110

MT46H64M32L2JG-6 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile2.826

MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile5.454

MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile12.738

MT46H64M32LFBQ-48 IT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile2.988

MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile2.538

MT46H64M32LFBQ-48 WT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile7.326

MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile3.744

MT46H64M32LFCM-5 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (10x13)

Disponibile8.082

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