Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT46H16M32LFT67M-N1003 Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM MOBILE DDR 512M Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.600
MT46H1DAMA-DC Micron Technology Inc.	Memoria IC MOBILE DDR 1G 32MX32 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.240
MT46H1DBB5-DC Micron Technology Inc.	Memoria IC MOBILE DDR 512M NAX16 FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.832
MT46H256M32L4JV-5 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile6.372
MT46H256M32L4JV-5 IT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile6.030
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile2.214
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile4.752
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile6.156
MT46H256M32L4JV-6 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile8.982
MT46H256M32L4JV-6 WT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile5.922
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile6.408
MT46H256M32L4LE-48 WT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-TFBGA (12x12)	Disponibile3.456
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-TFBGA (12x12)	Disponibile2.538
MT46H256M32L4SA-48 WT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-TFBGA (12x12)	Disponibile955
MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-TFBGA (12x12)	Disponibile5.652
MT46H256M32R4JV-5 IT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile7.110
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile3.978
MT46H256M32R4JV-5 WT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile6.084
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile4.032
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile3.114
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile21.204
MT46H32M16LFBF-5:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile4.338
MT46H32M16LFBF-5 IT:B Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile5.076
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile3.562
MT46H32M16LFBF-5 IT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile156.270
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile7.308
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile2.736
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile6.480
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile6.282
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.0ns Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)	Disponibile6.084

MT46H16M32LFT67M-N1003

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM MOBILE DDR 512M

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.600

MT46H1DAMA-DC

Micron Technology Inc.

Memoria

IC MOBILE DDR 1G 32MX32 FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.240

MT46H1DBB5-DC

Micron Technology Inc.

Memoria

IC MOBILE DDR 512M NAX16 FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile5.832

MT46H256M32L4JV-5 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile6.372

MT46H256M32L4JV-5 IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile6.030

MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile2.214

MT46H256M32L4JV-5 WT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile4.752

MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile6.156

MT46H256M32L4JV-6 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile8.982

MT46H256M32L4JV-6 WT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile5.922

MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile6.408

MT46H256M32L4LE-48 WT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 208MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-TFBGA (12x12)

Disponibile3.456

MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-TBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-TFBGA (12x12)

Disponibile2.538

MT46H256M32L4SA-48 WT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-TFBGA (12x12)

Disponibile955

MT46H256M32L4SA-48 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14.4ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-TFBGA (12x12)

Disponibile5.652

MT46H256M32R4JV-5 IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile7.110

MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile3.978

MT46H256M32R4JV-5 WT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile6.084

MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 8Gb (256M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile4.032

MT46H32M16LFBF-5 AIT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile3.114

MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile21.204

MT46H32M16LFBF-5:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile4.338

MT46H32M16LFBF-5 IT:B

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile5.076

MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile3.562

MT46H32M16LFBF-5 IT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile156.270

MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile7.308

MT46H32M16LFBF-6 AAT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile2.736

MT46H32M16LFBF-6 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile6.480

MT46H32M16LFBF-6 AIT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile6.282

MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 166MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.0ns
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-VFBGA (8x9)

Disponibile6.084

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