Circuiti integrati di memoria

MT41K512M16TNA-107:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)

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MT41K512M16TNA-125:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)

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MT41K512M16TNA-125:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)

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MT41K512M16TNA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)

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MT41K512M16TNA-125 IT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)

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MT41K512M16TNA-125 M:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)

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MT41K512M16TNA-125 M:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)

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MT41K512M16V91AWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

DDR3 8G DIE 512MX16

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MT41K512M16VRN-107 AAT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 8GB FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 8GB FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K512M16VRN-107 AIT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 8GB FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 8GB FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K512M16VRN-107 IT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 8GB FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K512M16VRN-107 IT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 8GB FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 8Gb (512M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K512M4DA-107:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (512M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M4DA-125:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (512M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M4DA-125:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (512M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M4DA-125:M

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (512M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M4HX-15E:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (512M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 667MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x11.5)

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MT41K512M4HX-187E:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (512M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 533MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.125ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x11.5)

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MT41K512M8DA-093 IT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 1067MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-093 IT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 1067MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-093:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 1067MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-093:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 4GB 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 1.066GHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-107 AAT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-107 AAT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-107 AIT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-107 AIT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-107 IT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K512M8DA-107 IT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 4GB 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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