Circuiti integrati di memoria

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MT41K512M8DA-107:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)	Disponibile7.905
MT41K512M8DA-107:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)	Disponibile3.598
MT41K512M8DA-107 V:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)	Disponibile2.934
MT41K512M8DA-107 V:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)	Disponibile8.694
MT41K512M8DA-107 XIT:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)	Disponibile23.364
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)	Disponibile8.370
MT41K512M8DA-125:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.5ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)	Disponibile6.624
MT41K512M8DA-125:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.5ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)	Disponibile3.490
MT41K512M8RG-093:N Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1067MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x10.6)	Disponibile7.344
MT41K512M8RG-093:N TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1067MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x10.6)	Disponibile7.164
MT41K512M8RG-107:N Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x10.6)	Disponibile7.902
MT41K512M8RG-107:N TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x10.6)	Disponibile7.758
MT41K512M8RH-107:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile70
MT41K512M8RH-107:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile5.796
MT41K512M8RH-107 IT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile3.924
MT41K512M8RH-125 AAT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile8.460
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile8.928
MT41K512M8RH-125 AIT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile5.094
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile3.744
MT41K512M8RH-125:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile73.020
MT41K512M8RH-125:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile5.742
MT41K512M8RH-125 IT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile2.592
MT41K512M8RH-125 IT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile2.952
MT41K512M8RH-125 M AIT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile2.052
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile6.606
MT41K512M8RH-125 M:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile4.104
MT41K512M8RH-125 M:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile8.064
MT41K512M8RH-125 V:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile6.714
MT41K512M8RH-125 V:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile3.600
MT41K512M8RH-125 XIT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)	Disponibile5.508

MT41K512M8DA-107:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

Disponibile7.905

MT41K512M8DA-107:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

Disponibile3.598

MT41K512M8DA-107 V:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

Disponibile2.934

MT41K512M8DA-107 V:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

Disponibile8.694

MT41K512M8DA-107 XIT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

Disponibile23.364

MT41K512M8DA-107 XIT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

Disponibile8.370

MT41K512M8DA-125:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

Disponibile6.624

MT41K512M8DA-125:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

Disponibile3.490

MT41K512M8RG-093:N

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x10.6)

Disponibile7.344

MT41K512M8RG-093:N TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x10.6)

Disponibile7.164

MT41K512M8RG-107:N

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x10.6)

Disponibile7.902

MT41K512M8RG-107:N TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (7.5x10.6)

Disponibile7.758

MT41K512M8RH-107:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile70

MT41K512M8RH-107:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile5.796

MT41K512M8RH-107 IT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile3.924

MT41K512M8RH-125 AAT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile8.460

MT41K512M8RH-125 AAT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile8.928

MT41K512M8RH-125 AIT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile5.094

MT41K512M8RH-125 AIT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile3.744

MT41K512M8RH-125:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile73.020

MT41K512M8RH-125:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile5.742

MT41K512M8RH-125 IT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile2.592

MT41K512M8RH-125 IT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile2.952

MT41K512M8RH-125 M AIT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile2.052

MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile6.606

MT41K512M8RH-125 M:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile4.104

MT41K512M8RH-125 M:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile8.064

MT41K512M8RH-125 V:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile6.714

MT41K512M8RH-125 V:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile3.600

MT41K512M8RH-125 XIT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (9x10.5)

Disponibile5.508

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