Circuiti integrati di memoria

MT41K256M16TW-107:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K256M16TW-107:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K256M16TW-107 V:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K256M16TW-107 V:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K256M16TW-107 XIT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K256M16TW-107 XIT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

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MT41K256M16TW-125:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 800MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

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MT41K256M16V00HWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH NAND 32GX8 TSOP

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MT41K256M16V00HWC1-N001

Micron Technology Inc.

Memoria

DDR3 4G DIE 256MX16

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: *
• Tipo di memoria: -
• Formato memoria: -
• Tecnologia: -
• Dimensione della memoria: -
• Interfaccia di memoria: -
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: -
• Temperatura di esercizio: -
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MT41K256M16V80AWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MT41K256M16V90BWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: -
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: -
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: -
• Pacchetto / Custodia: -
• Pacchetto dispositivo fornitore: -

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MT41K256M4DA-107:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3
• Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M4DA-107:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3
• Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M4JP-125:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3
• Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x11.5)

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MT41K256M4JP-15E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3
• Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 667MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x11.5)

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MT41K256M4JP-15E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3
• Dimensione della memoria: 1Gb (256M x 4)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 667MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.5ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x11.5)

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MT41K256M8DA-107 AAT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-107 AAT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-107 IT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-107 IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-107:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-107:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 933MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 20ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-125 AAT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-125 AAT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 2GB 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q100
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-125 AIT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-125 AIT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-125 AUT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-125 AUT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-125 IT:K

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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MT41K256M8DA-125 IT:K TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

• Produttore: Micron Technology Inc.
• Serie: -
• Tipo di memoria: Volatile
• Formato memoria: DRAM
• Tecnologia: SDRAM - DDR3L
• Dimensione della memoria: 2Gb (256M x 8)
• Interfaccia di memoria: Parallel
• Frequenza di clock: 800MHz
• Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
• Tempo di accesso: 13.75ns
• Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
• Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: 78-TFBGA
• Pacchetto dispositivo fornitore: 78-FBGA (8x10.5)

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