Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT41K256M16HA-125 IT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile3.312
MT41K256M16HA-125 IT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile6.822
MT41K256M16HA-125 M AIT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile6.750
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile2.538
MT41K256M16HA-125 M:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile5.058
MT41K256M16HA-125 M:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile5.256
MT41K256M16HA-125 V:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile3.240
MT41K256M16HA-125 V:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile5.670
MT41K256M16HA-125 XIT:E Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile5.292
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 800MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.75ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)	Disponibile5.814
MT41K256M16LY-093:N Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1067MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)	Disponibile11.899
MT41K256M16LY-093:N TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1067MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)	Disponibile8.568
MT41K256M16LY-107:N Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)	Disponibile131.613
MT41K256M16LY-107:N TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)	Disponibile2.214
MT41K256M16RE-15E IT:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 667MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 13.5ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)	Disponibile2.502
MT41K256M16TW-093 IT:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1067MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile8.532
MT41K256M16TW-093 IT:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1067MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile3.780
MT41K256M16TW-093:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1067MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile16.015
MT41K256M16TW-093:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 1067MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile7.020
MT41K256M16TW-107 AAT:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile5.490
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile7.308
MT41K256M16TW-107 AIT:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile8.478
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile4.050
MT41K256M16TW-107 AT:P Micron Technology Inc.	Memoria MEMORY DRAM Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile7.524
MT41K256M16TW-107 AT:P TR Micron Technology Inc.	Memoria MEMORY DRAM Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile6.732
MT41K256M16TW-107 AUT:P Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile7.182
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile5.400
MT41K256M16TW-107 IT:P Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile7.614
MT41K256M16TW-107 IT:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC SDRAM DDR3 4GB 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile2.988
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - DDR3L Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 933MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: 20ns Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)	Disponibile8.892

MT41K256M16HA-125 IT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile3.312

MT41K256M16HA-125 IT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile6.822

MT41K256M16HA-125 M AIT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile6.750

MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile2.538

MT41K256M16HA-125 M:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile5.058

MT41K256M16HA-125 M:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile5.256

MT41K256M16HA-125 V:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile3.240

MT41K256M16HA-125 V:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile5.670

MT41K256M16HA-125 XIT:E

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile5.292

MT41K256M16HA-125 XIT:E TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 800MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.75ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (9x14)

Disponibile5.814

MT41K256M16LY-093:N

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)

Disponibile11.899

MT41K256M16LY-093:N TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)

Disponibile8.568

MT41K256M16LY-107:N

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)

Disponibile131.613

MT41K256M16LY-107:N TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (7.5x13.5)

Disponibile2.214

MT41K256M16RE-15E IT:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 667MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 13.5ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (10x14)

Disponibile2.502

MT41K256M16TW-093 IT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 1067MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile8.532

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile3.780

MT41K256M16TW-093:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile16.015

MT41K256M16TW-093:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile7.020

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile5.490

MT41K256M16TW-107 AAT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile7.308

MT41K256M16TW-107 AIT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile8.478

MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile4.050

MT41K256M16TW-107 AT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

MEMORY DRAM

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile7.524

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

MEMORY DRAM

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile6.732

MT41K256M16TW-107 AUT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile7.182

MT41K256M16TW-107 AUT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: Automotive, AEC-Q100
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 125°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile5.400

MT41K256M16TW-107 IT:P

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile7.614

MT41K256M16TW-107 IT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC SDRAM DDR3 4GB 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile2.988

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - DDR3L
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 933MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: 20ns
Tensione - Alimentazione: 1.283V ~ 1.45V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 96-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 96-FBGA (8x14)

Disponibile8.892

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