Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile6.462
MT42L128M32D1LF-25 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile7.650
MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile2.610
MT42L128M32D1LH-25 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-UFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile3.798
MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-UFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile4.878
MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 138-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile4.716
MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 138-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile7.740
MT42L128M32D1TK-25 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 138-UFBGA, WLBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile5.364
MT42L128M32D1U80MWC1 Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.484
MT42L128M32D1U80MWC2 Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.726
MT42L128M32D2KL-25 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile2.448
MT42L128M32D2KL-3 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile5.832
MT42L128M32D2MH-25 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (11x11.5)	Disponibile3.544
MT42L128M32D2MH-3 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (11x11.5)	Disponibile525
MT42L128M64D2LL-18 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile4.266
MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile3.924
MT42L128M64D2LL-25 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile2.286
MT42L128M64D2LL-25 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile3.312
MT42L128M64D2LL-25 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile8.856
MT42L128M64D2LL-25 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile6.462
MT42L128M64D2LN-18 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.336
MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)	Disponibile3.400
MT42L128M64D2MC-18 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)	Disponibile3.366
MT42L128M64D2MC-18 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)	Disponibile2.232
MT42L128M64D2MC-25 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)	Disponibile7.236
MT42L128M64D2MC-25 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)	Disponibile4.374
MT42L128M64D2MC-3 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 333MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)	Disponibile5.742
MT42L128M64D2MP-25 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 220-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)	Disponibile4.392
MT42L128M64D2MP-25 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 220-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)	Disponibile7.542
MT42L128M64D4KJ-25 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile6.462

MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile6.462

MT42L128M32D1LF-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile7.650

MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile2.610

MT42L128M32D1LH-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-UFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile3.798

MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-UFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile4.878

MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 138-UFBGA, WLBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile4.716

MT42L128M32D1TK-25 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 138-UFBGA, WLBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile7.740

MT42L128M32D1TK-25 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 138-UFBGA, WLBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile5.364

MT42L128M32D1U80MWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile2.484

MT42L128M32D1U80MWC2

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.726

MT42L128M32D2KL-25 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile2.448

MT42L128M32D2KL-3 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile5.832

MT42L128M32D2MH-25 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (11x11.5)

Disponibile3.544

MT42L128M32D2MH-3 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (128M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (11x11.5)

Disponibile525

MT42L128M64D2LL-18 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile4.266

MT42L128M64D2LL-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile3.924

MT42L128M64D2LL-25 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile2.286

MT42L128M64D2LL-25 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile3.312

MT42L128M64D2LL-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile8.856

MT42L128M64D2LL-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile6.462

MT42L128M64D2LN-18 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 533MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile6.336

MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)

Disponibile3.400

MT42L128M64D2MC-18 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)

Disponibile3.366

MT42L128M64D2MC-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)

Disponibile2.232

MT42L128M64D2MC-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)

Disponibile7.236

MT42L128M64D2MC-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 240FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)

Disponibile4.374

MT42L128M64D2MC-3 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 333MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 240-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 240-FBGA (14x14)

Disponibile5.742

MT42L128M64D2MP-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 220-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)

Disponibile4.392

MT42L128M64D2MP-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 220FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 220-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)

Disponibile7.542

MT42L128M64D4KJ-25 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 8G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 8Gb (128M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile6.462

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