Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 220-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)	Disponibile3.672
MT42L256M64D4LD-25 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 220-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)	Disponibile8.622
MT42L256M64D4LD-25 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 220-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)	Disponibile5.922
MT42L256M64D4LM-18 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile3.348
MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile8.532
MT42L256M64D4LM-25 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile2.088
MT42L256M64D4LM-25 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile7.146
MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)	Disponibile3.456
MT42L32M16D1AB-3 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)	Disponibile3.708
MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)	Disponibile7.812
MT42L32M16D1FE-25 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)	Disponibile3.168
MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)	Disponibile5.436
MT42L32M16D1U67MWC1 Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR2 Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.554
MT42L32M16D1U67MWC2 Micron Technology Inc.	Memoria LPDDR2 Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.334
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile2.538
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile5.040
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-VFBGA (10x11.5)	Disponibile8.514
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile2.772
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-VFBGA (10x11.5)	Disponibile3.474
MT42L384M32D3LP-18 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.956
MT42L384M32D3LP-25 WT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 12G PARALLEL 400MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.250
MT42L64M32D1KL-25 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile6.284
MT42L64M32D1KL-3 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 333MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile4.590
MT42L64M32D1LF-18 IT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile2.178
MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)	Disponibile2.592
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile6.894
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile3.114
MT42L64M32D1TK-18 IT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile5.202
MT42L64M32D1TK-18 IT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 134-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)	Disponibile4.464
MT42L64M64D2KH-25 IT:A Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria: 4Gb (64M x 64) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)	Disponibile7.956

MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 220-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)

Disponibile3.672

MT42L256M64D4LD-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 220-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)

Disponibile8.622

MT42L256M64D4LD-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 16G PARALLEL 220FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 220-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 220-FBGA (14x14)

Disponibile5.922

MT42L256M64D4LM-18 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile3.348

MT42L256M64D4LM-18 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile8.532

MT42L256M64D4LM-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile2.088

MT42L256M64D4LM-25 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 16G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 16Gb (256M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile7.146

MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)

Disponibile3.456

MT42L32M16D1AB-3 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)

Disponibile3.708

MT42L32M16D1AB-3 WT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)

Disponibile7.812

MT42L32M16D1FE-25 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)

Disponibile3.168

MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 121FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 512Mb (32M x 16)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 121-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 121-FBGA (6.5x8)

Disponibile5.436

MT42L32M16D1U67MWC1

Micron Technology Inc.

Memoria

LPDDR2

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile4.554

MT42L32M16D1U67MWC2

Micron Technology Inc.

Memoria

LPDDR2

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile8.334

MT42L32M32D2AC-25 AAT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile2.538

MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile5.040

MT42L32M32D2AC-25 AIT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-VFBGA (10x11.5)

Disponibile8.514

MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile2.772

MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 1Gb (32M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-VFBGA (10x11.5)

Disponibile3.474

MT42L384M32D3LP-18 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 12G PARALLEL 533MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile7.956

MT42L384M32D3LP-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 12G PARALLEL 400MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 12Gb (384M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile2.250

MT42L64M32D1KL-25 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile6.284

MT42L64M32D1KL-3 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile4.590

MT42L64M32D1LF-18 IT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile2.178

MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-FBGA (12x12)

Disponibile2.592

MT42L64M32D1TK-18 AAT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile6.894

MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile3.114

MT42L64M32D1TK-18 IT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile5.202

MT42L64M32D1TK-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 2Gb (64M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 533MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 134-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 134-FBGA (10x11.5)

Disponibile4.464

MT42L64M64D2KH-25 IT:A

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria: 4Gb (64M x 64)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.14V ~ 1.3V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 216-FBGA (12x12)

Disponibile7.956

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