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Record 64.903

Pagina 2156/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
SST174-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 5V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 0V Resistenza - RDS (On): 85 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile7.452
SST175-T1-E3 Vishay Dale	Transistor - JFET MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3 Produttore: Vishay Dale Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236 (SOT-23)	Disponibile2.682
SST201-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 300mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile12.832
SST204-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 300mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile8.766
SST204-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 300mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 4.5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile6.210
SST4118-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 70V 80UA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile5.688
SST4119-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 70V 200UA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236	Disponibile3.420
SST4416-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile7.292
SST4416-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 3V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2.2pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile4.896
SST5461-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 55V 2MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile6.318
SST5462-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 55V 4MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile8.926
SST5484-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 300mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile4.050
SST5484-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 300mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile7.470
SST5485-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile29.384
SST5485-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 500mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile6.516
SST5486-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile5.508
SST5486-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 25V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 2V @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23	Disponibile4.950
TF202THC-3-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 200mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-VTFP	Disponibile2.592
TF202THC-3-TL-HX ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.844
TF202THC-4-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 0.1W VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 200mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-VTFP	Disponibile147.124
TF202THC-5-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 200mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-VTFP	Disponibile81.614
TF202THC-L5-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 200mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.5pF @ 5V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP	Disponibile4.158
TF208TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP	Disponibile25.179
TF208TH-5-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP	Disponibile4.518
TF252-4-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 30mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-USFP	Disponibile163.041
TF252-5-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 30mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-USFP	Disponibile2.412
TF252TH-4A-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: VTFP	Disponibile157.398
TF252TH-4-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-VTFP	Disponibile20.095
TF252TH-5-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 0.1W 3VTFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 100mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-VTFP	Disponibile206
TF256-3-TL-H ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max: 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 30mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 3-USFP	Disponibile6.300

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