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SST5462-T1-E3

SST5462-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SST5462-T1-E3
PNEDA Part # SST5462-T1-E3
Descrizione JFET P-CH 55V 4MA SOT-23
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario
1 ---------- $0,6337
500 ---------- $0,6040
1.000 ---------- $0,5743
2.500 ---------- $0,5446
5.000 ---------- $0,5199
10.000 ---------- $0,4951
Disponibile 8.926
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST5462-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST5462-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET
Datasheet
SST5462-T1-E3, SST5462-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 48,54 KB)
PDFSST5462-T1-E3 Datasheet Copertura
SST5462-T1-E3 Datasheet Pagina 2 SST5462-T1-E3 Datasheet Pagina 3 SST5462-T1-E3 Datasheet Pagina 4 SST5462-T1-E3 Datasheet Pagina 5 SST5462-T1-E3 Datasheet Pagina 6

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  • SST5462-T1-E3 Distributor

SST5462-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie-
Tipo FETP-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)40V
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)4mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id1.8V @ 1µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max350mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

90mA @ 18V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

10V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

75 Ohms

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

P108718

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

150 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

PN4092_J18Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 20V

Resistenza - RDS (On)

50 Ohms

Potenza - Max

625mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SK275100L

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.4µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

10mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3.5V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini3-G1

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

3V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

Resistenza - RDS (On)

125 Ohms

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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