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SST175-T1-E3

SST175-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SST175-T1-E3
PNEDA Part # SST175-T1-E3
Descrizione MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3
Produttore Vishay Dale
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.682
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 1 - apr 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SST175-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Dale
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSST175-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET

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SST175-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Dale
Serie-
Tipo FET-
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-236 (SOT-23)

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 10V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 1nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3pF @ 10V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-206AF (TO-72)

NSVJ2394SA3T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

15V

Tensione Drain to Source (Vdss)

15V

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

32mA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

50mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

700mV @ 100µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

200mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-59-3/CP3

KSK596ABU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

20V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

Corrente assorbita (Id) - Max

1mA

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

600mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3.5pF @ 5V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

100mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

MMBFJ176

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

1V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

250 Ohms

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Serie

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Tipo FET

-

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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